電気自動車の性能アップに期待、新型のSiCトランジスタが完成

産業技術総合研究所（東京都千代田区）は12月5日、富士電機（東京都品川区）との共同研究で、電気自動車などに利用されるパワーモジュールの高効率化・高信頼化に貢献する、SiC（炭化ケイ素）を用いた新型MOSFET（トランジスタ）を開発し、量産レベルの試作品で性能を実証したと発表した。

今回開発した独自構造のデバイスSWITCH―MOS（SBD―Wall Integrated Trench MOS）は、トレンチ型MOSFET（縦型MOSFETのチャネルをトレンチ溝側壁に形成した構造のトランジスタ）に、トレンチSBD（ショットキーバリアダイオード）を内蔵することで、1,200ボルトクラスの低い耐圧デバイスでも高い信頼性が実証できた。