豊田合成、次世代パワー半導体向け「GaN基板の大口径化」に成功

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(画像左)6インチ超GaN基板(GaN種結晶)と、(画像右)パワー半導体の作製プロセス(出所:豊田合成)
クリックで拡大します (画像左)6インチ超GaN基板(GaN種結晶)と、(画像右)パワー半導体の作製プロセス(出所:豊田合成)

豊田合成(愛知県清須市)は3月15日、環境省が主導するプロジェクトにおいて、大阪大学(大阪府吹田市)と共同で、窒化ガリウム(GaN)を用いた次世代パワー半導体(GaNパワー半導体)向けの基板の大口径化(直径の拡大)に成功したと発表した。

環境省は今回の成果について「産業・家電機器、モビリティ、再生可能エネルギー機器など、社会のあらゆる場面での活用による電力ロスの低減、これによる大幅なCO2削減に貢献することが期待される」としている。

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