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三菱電機の家電用パワー半導体モジュール、SiC搭載で電力損失を45%低減

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三菱電機は、SiC(炭化ケイ素)をトランジスタ部とダイオード部の両方に用いることにより、家電製品の低消費電力化・小型化を図るパワー半導体モジュール「超小型フルSiC DIPPFC」を発売した。

同モジュールは、トランジスタ部に「SiC-MOSFET」、ダイオード部に「SiC-SBD」を搭載することにより、電力損失を約45%低減し、家電製品のエネルギー変換効率の改善に貢献する。また、SiC-SBD搭載によりリ、カバリー電流を削減し、低消費電力化とEMIノイズ低減を実現、SiC-MOSFET搭載により、最大40kHzの高周波スイッチングを実現し、リアクトルやヒートシンクなど周辺部品の小型化に貢献する。

(※全文:793文字 画像:あり 参考リンク:なし)

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