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スズ系ペロブスカイト太陽電池に光明 京大・阪大が効率的な製法を新開発

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京都大学化学研究所と大阪大学大学院工学研究科の研究グループは9月6日、均一性が高く高品質なスズ系ペロブスカイト半導体膜を得ることができる独自の成膜法を開発したと発表した。

同グループは、溶液の塗布によるスズ系ペロブスカイト半導体膜の作製法の改良に取り組んできていた。今回開発された成膜法により、再現性が良く高い光電変換効率を示すペロブスカイト太陽電池を作製できる手法の確立に成功した。

2つのアプローチから取り組む

近年、ペロブスカイト半導体材料を光吸収層に用いたペロブスカイト太陽電池が、溶液の塗布により作製できる次世代の高効率太陽電池として注目されている。しかし、従来の鉛系ペロブスカイト太陽電池では20%以上の高い光電変換効率が得られる一方、鉛が及ぼす環境や人体への影響が危惧されている。

そのため、環境負荷の少ないスズ系ペロブスカイト太陽電池が次世代型太陽電池の有力候補として期待を集めている。ただし、材料中のスズイオン(Sn2+)が酸化しやすい、光電変換効率は最大でも9%以下であり、再現性にも乏しいという課題があった。

(※全文:1666文字 画像:あり 参考リンク:なし)

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