世界初、酸化ガリウムを用いた省エネ型「MOSトランジスタ」開発

情報通信研究機構（NICT）は、タムラ製作所（東京都）、光波（東京都）と共同で、新しいワイドギャップ半導体材料である酸化ガリウム（Ga2O3）を用いた実用性に優れた「MOSトランジスタ」の開発に世界に先駆けて成功した。

このトランジスタは、イオン注入とゲート絶縁膜に関する技術により、2年前に報告されたトランジスタと比べてデバイス特性が大幅に向上。非常にシンプルな構造にも関わらず、高いオン電流、高いオフ状態耐圧、非常に小さいリーク電流、高い電流オン/オフ比など、パワートランジスタとして実用上要求される性能を十分に満たす特性が得られている。