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電気自動車の性能アップに期待、新型のSiCトランジスタが完成

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産業技術総合研究所(東京都千代田区)は12月5日、富士電機(東京都品川区)との共同研究で、電気自動車などに利用されるパワーモジュールの高効率化・高信頼化に貢献する、SiC(炭化ケイ素)を用いた新型MOSFET(トランジスタ)を開発し、量産レベルの試作品で性能を実証したと発表した。

今回開発した独自構造のデバイスSWITCH―MOS(SBD―Wall Integrated Trench MOS)は、トレンチ型MOSFET(縦型MOSFETのチャネルをトレンチ溝側壁に形成した構造のトランジスタ)に、トレンチSBD(ショットキーバリアダイオード)を内蔵することで、1,200ボルトクラスの低い耐圧デバイスでも高い信頼性が実証できた。

これにより、SiCパワーデバイスのボリュームゾーンとされる1,200ボルトクラスで量産試作レベルの実証ができたため、今後は、ハイブリッド車(HV)電気自動車(EV)の電力変換システムでの使用が期待されるオールSiCモジュールの市場導入が大幅に進むことが期待される。

(※全文:2055文字 画像:あり 参考リンク:なし)

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