NTT、世界初「窒化アルミニウムトランジスタ」を実現

NTT（東京都千代田区）は4月22日、窒化アルミニウム（AlN）を用いたトランジスタ動作に成功したと発表した。今後、AlN半導体の超低損失・高耐圧パワーデバイス応用と耐環境デバイス応用を目指し、ヘテロ接合形成によるさらなる特性向上、高温におけるデバイス動作物理の解明を進める。

トランジスタは半導体パワーデバイスとして家電、電気自動車（EV）、産業機器などの電力変換に使用される。近年では太陽光発電や鉄道などの大電力領域へとその用途が拡大している。カーボンニュートラルの実現に向けて、その低損失化による消費電力の削減が求められる。