住友電工、仏企業と低コスト大口径GaN基板の製造に成功、量産開始

GaN基板は、LEDやパワーデバイスなどの性能向上を図る素材として注目されているが、高コストであることが課題となっていた。住友電工は、GaN基板を大型化し、低コスト化するために、2010年12月に、仏ソイテック社と薄膜GaN基板の開発に関して協業を開始。住友電工の高品質自立GaN基板製造技術と、SmartCut技術で業界をリードするソイテック社の半導体極薄膜の剥離・転写技術を組み合わせ、大口径自立GaN基板から複数枚の薄膜GaN基板を製造する技術について、共同で開発を進めてきた。今回の技術開発の成功はその成果によるもの。これを受けて、両社は、それぞれ兵庫県伊丹市と仏Bernin市に、4インチ径及び6インチ径の薄膜GaN基板パイロット製造ラインの整備に着手した。

本協業では、住友電工が日本で製造した自立GaN基板に、ソイテック社がフランスでSmartCut技術を適用して、薄膜GaN基板を製造する。薄膜GaN基板は、高性能の半導体デバイスが求める低欠陥密度の特性を維持したGaN薄膜が、GaNと熱膨張係数の一致した低コスト支持基板に貼り付けられている。そのため、１枚の自立GaN基板に比べ、安価かつ同等の特性を有する薄膜GaN基板を得ることができる。