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STマイクロ、業界最高クラスの高効率電力制御用パワーMOSFETを発表

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STマイクロエレクトロニクスは、業界最高クラスの性能を有する高耐圧パワーMOSFET(電界効果トランジスタ)であるMDmeshVファミリの新製品が、高耐圧パワーMOSFETの画期的な記録を達成したことを発表した。

同製品は、定格650Vにおいて最高の電力効率と電力密度を発揮するため、面積当りのオン抵抗を低下させることによって、電力効率に関する主要測定基準値が23%以上向上した。これにより、照明用調光器、コンシューマ機器用電源、太陽光発電システム用コンバータ等の電力変換回路において、放熱により失われるエネルギーを節約することができる。

MDmeshV技術を採用したパワーMOSFETであるSTW88N65M5(650V耐圧)を標準TO-247パッケージに実装した場合、オン抵抗は業界最小の0.029Ω。これはMDmeshV技術を採用した従来製品の業界ベンチマークである0.038Ωより向上している。これにより最終アプリケーションの設計者は、オン抵抗が大きなパワーMOSFETの置き換えによる高効率化や、使用部品点数の削減による組立てサイズの小型化および部材コストの低減が可能になる。

また、STW88N65M5を含むMDmeshV製品の定格耐圧は650Vで、競合製品の定格耐圧600Vよりも大きな安全マージンを設けており、AC電源ラインの電圧サージに対するパワーMOSFETの耐性が向上する。STW88N65M5は現在入手可能で、TO-247パッケージで提供されている。単価は1000個購入時に約20ドル。

なお、STマイクロエレクトロニクスは、エレクトロニクス分野の多種多様な電子機器向けに半導体ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカー。高度な技術力と設計ノウハウ、そして幅広いIPポートフォリオなどを駆使し、マルチメディア・コンバージェンス、パワー・アプリケーションにおけるリーディングカンパニーを目指している。

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