> > ローム、EV・HEV車向け高速・大電流モジュールを共同開発

ローム、EV・HEV車向け高速・大電流モジュールを共同開発

記事を保存

半導体メーカーのロームは、電気自動車(EV)・ハイブリッド車(HEV)や産業機器向けに、SiCトレンチMOSを搭載した高速・大電流モジュール「APEI HT2000」を、米ArkansasPowerElectronicsInternational(APEI)社と共同で開発した。

近年、急速に発展しているHEV、EVなどに代表されるパワーエレクトニクスの分野では、モジュールの更なるハイパワー化や高効率化、さらに高温駆動化などが求められている。この課題をクリアするために、従来のSi(シリコン)モジュールから高効率のSiC(炭化ケイ素)モジュールへの転換が必要となっている。

今回、開発したモジュールは、ローム開発のSiCトレンチMOSを合計で16個搭載。Siモジュール用のモジュールデザインを変更し、SiCデバイスの特長を最大限に活かすために電気的・機械的特性を大幅に改善することで、超小型化、軽量化、高効率化とともに、ハイパワー(1000A級)、ハイスピードスイッチング、高温駆動を実現した。同社では、本モジュールについて、特殊用途向けに2012年からサンプル出荷を開始し、3~4年後の実用化を目指す。

今回、パワーシステムやパワーパッケージで技術を持つAPEI社が、モジュールの面積を小型化するとともにレイアウトを最適化し、モジュール内のワイヤーや配線が持つインダクタンス(電流の変化に伴う誘導起電力の比を表す定数、誘導係数)を大幅に低減するモジュールを開発した。

このモジュールにトレンチMOSを搭載し、600V/1000Aの動作を確認した。また、数十nsの高速スイッチングスピードも達成し、これによりSi-IGBTに比べスイッチング損失を3分の1に低減させた。さらに、1200Vクラスまでの搭載や、高機能材料に変更することにより、モジュールの面積で30%の小型化、さらに、実現不可能な高温(250℃)駆動も同時に可能となった。

これらの特長により従来のSi-IGBTモジュールだけでなく、現在開発が行われているSiCモジュールの中でも電気的にも機械的にも優れたモジュールとしての開発に成功し、SiCモジュールの普及に向けて大きく前進した。

関連セミナー・イベント情報

関連カテゴリ

プレスリリースを受け付けております

環境ビジネスオンラインでは、皆様からの環境に関する情報をお待ちしています。

新製品・新サービス、研究内容、法令情報、イベント・セミナー、海外の環境ビジネス情報など、お気軽にお寄せ下さい。お送り頂いた内容を、編集部にて拝見いたします。

こちらから、必要事項をご記入ください

Copyright © 2012 日本ビジネス出版. All rights reserved.