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安川電機 世界初、シリコンカーバイドを採用したEV用モータドライブを開発

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安川電機は、独自の電気自動車(EV)用モータドライブ「QMETドライブ」にSiC(シリコンカーバイド)を採用した「SiC-QMET」を開発した。同製品は、ロームが新規開発したSiC-トレンチMOSFETとSiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)を採用した新しいコンセプトのEV用モータドライブ。大幅な小型化、高効率化を実現したことにより、モータの電子式巻線切替部の体積とインバータの体積を従来の1/2以下にし、変換効率を2%向上させたのが特長。

近年、エコカーの需要拡大に伴ってEVの製品化も加速しているが、航続距離の確保が課題とされている。その改善方法として、電気駆動システムでの「電費」を向上させることが急務とされ、その中でモータドライブの高効率化は最重要課題のひとつとなっている。そのため、安川電機とロームは、モータドライブの高効率化を目指して次世代パワー素子を共同で研究開発してきた。

同製品は、安川電機独自の電子式巻線切替技術を搭載した「QMETドライブ」をベースとし、従来の電子式巻線切替で用いていたモータ内蔵のシリコン製IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)とダイオードをSiCに置き換えると同時に、SiCの高温動作特性を活かし、モータの冷却構造の簡素化・小型化・高効率化を実現した。また、モータ駆動用のインバータの主回路も全てSiC化している。

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