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ローム、電力変換時の損失を大幅低減する新型トランジスタを開発

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半導体メーカーのロームは、超低損失SiCトレンチMOSFETを開発したと発表した。600Vでは0.79mΩ・cm2、1200Vでは1.41mΩ・cm2という世界最小の超低オン抵抗を実現。1mΩ・cm2以下のオン抵抗(パワー素子の通電時)を実現したのは世界初の快挙となる。同社では2013年度中を目途にSiCトレンチMOSFETの実用化を進めていく予定だ。

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