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耐高電圧のSiC半導体トランジスタが新開発 スマートグリッド構築などに貢献

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産業技術総合研究所は、シリコンでは不可能な10kV以上の耐電圧を示す炭化ケイ素新型トランジスタを開発した。本成果により、電力ネットワークにおけるスイッチやトランスの半導体化、次世代スマートグリッド構築を通した電力分野での省エネルギー化への道筋が示されたと説明している。

今回、産総研は、炭化ケイ素(SiC)半導体を用いて、16kVという超高耐電圧特性を持つ独自構造の絶縁ゲートバイポーラ・トランジスタ(IGBT)を開発した。

(※全文:1,080文字 画像:あり 参考リンク:あり)

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