産総研、パワー半導体用単結晶の成長を2倍に向上する高純度SiC粉末原料を開発

「産業技術総合研究所は、太平洋セメント、屋久島電工と共同で、パワー半導体用炭化ケイ素（SiC）バルク単結晶の高速成長を可能とする昇華法用高純度SiC粉末原料を開発した。

今回、SiC原料粉末からの昇華ガスの発生しやすさに着目。ガスの透過性を利用した空気透過法（ブレーン法）を用いて、現状の製造工程での温度条件を大きく変えずに成長速度を約2倍に向上させることが可能な粒子形状を有した高純度SiC粉末原料を開発した。