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産総研、パワー半導体用単結晶の成長を2倍に向上する高純度SiC粉末原料を開発

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「産業技術総合研究所は、太平洋セメント、屋久島電工と共同で、パワー半導体用炭化ケイ素(SiC)バルク単結晶の高速成長を可能とする昇華法用高純度SiC粉末原料を開発した。

今回、SiC原料粉末からの昇華ガスの発生しやすさに着目。ガスの透過性を利用した空気透過法(ブレーン法)を用いて、現状の製造工程での温度条件を大きく変えずに成長速度を約 2倍に向上させることが可能な粒子形状を有した高純度SiC粉末原料を開発した。

従来のSiC粉末原料と置き換えるだけで、SiCバルク単結晶の高速成長が可能で、高温工程の時間短縮によるコスト低減・工程の簡素化が実現。また、その製造法は、従来のSiC研磨材の量産技術であるアチソン法を元に改良したもので、高い量産性も有する。

(※全文:1,083文字 画像:あり 参考リンク:なし)

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