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新開発、InGaAsトランジスタの性能向上技術 集積回路の消費電力を6割低減

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産業技術総合研究所は、東京工業大学、住友化学株式会社と共同で、新構造の採用により性能を従来から2倍向上させたインジウムガリウムヒ素(InGaAs)トランジスタを開発した。

小型電子機器などに用いられる大規模集積回路は、個々のトランジスタによって構成される。今回の開発では、四角形断面を持つInGaAsの立体構造上に、適切な条件でInGaAsを再成長させて、両斜面をヒ素(As)のみが並んでいる結晶面にした三角形断面の立体構造を作製した。

(※全文:495文字 画像:あり 参考リンク:あり)

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