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東大、わずか0.3Vで動くトランジスタを新開発 IT機器の省エネ化を促進

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東京大学は、従来のトランジスタと比べて極めて低い0.3V程度の電圧で動作しうる、トンネル電流を用いた新しいトランジスタの開発に成功した。亜鉛を用いた新しい接合形成技術により、従来のトランジスタとほぼ同等の構造で高い性能を有する。新しいトランジスタの開発により、IT機器の大幅な省電力化をもたらすと共に、バッテリー不要なLSI(集積回路のうち素子の集積度が1000個~10万個程度のもの)など新たな応用も期待されている。

IT機器が消費する電力が急激に増加する中、集積回路の低電圧化の限界とIT機器の消費エネルギーの増大が課題となっている。IT機器の消費電力の多くは、LSIチップに起因していることから、エネルギー利用の飛躍的な高効率化を実現するためには、LSIチップの論理演算に使われているMOSトランジスタの消費電力の低減、特に電源電圧の低減が課題となっている。

しかし、論理演算において信号のオン・オフを司るこれまでのMOSトランジスタでは、原理的にオン状態とオフ状態の電流をわずかな電圧変化で切り替えることができず、本質的に電源電圧を下げられないという問題があった。

(※全文:1,372文字 画像:なし 参考リンク:なし)

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