東大、わずか0.3Vで動くトランジスタを新開発　IT機器の省エネ化を促進

東京大学は、従来のトランジスタと比べて極めて低い0.3V程度の電圧で動作しうる、トンネル電流を用いた新しいトランジスタの開発に成功した。亜鉛を用いた新しい接合形成技術により、従来のトランジスタとほぼ同等の構造で高い性能を有する。新しいトランジスタの開発により、IT機器の大幅な省電力化をもたらすと共に、バッテリー不要なLSI（集積回路のうち素子の集積度が1000個～10万個程度のもの）など新たな応用も期待されている。

IT機器が消費する電力が急激に増加する中、集積回路の低電圧化の限界とIT機器の消費エネルギーの増大が課題となっている。IT機器の消費電力の多くは、LSIチップに起因していることから、エネルギー利用の飛躍的な高効率化を実現するためには、LSIチップの論理演算に使われているMOSトランジスタの消費電力の低減、特に電源電圧の低減が課題となっている。