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鉄道・電力など大型産業機器向け、次世代大容量パワー半導体モジュール新製品

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三菱電機は6日、電鉄・電力などの大型産業機器向けの次世代大容量パワー半導体モジュールとして、「HVIGBTモジュール Xシリーズ 新型デュアル」を開発したと発表した。

開発品は最新の第7世代IGBT・RFCダイオードの搭載と新しい外形パッケージの採用により、次世代品として求められるインバーターのさらなる高出力・高効率化や、他社品との外形パッケージの共通化によるインバーターシステムの設計効率化に貢献する。

サンプル提供は、耐電圧3.3kV(パッケージタイプ LV100)を2017年3月に開始し、1.7kV品・3.3kV品(パッケージタイプHV100)・4.5kV品・6.5kV品を2018年以降に順次開始する。また、1.7kV未満の製品開発も計画している。

開発品の特長

1.電力損失の低減によりインバーターの高出力・高効率化に貢献

  • キャリア蓄積効果を利用した同社独自のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)「CSTBT(TM)」構造を採用した第7世代IGBT・RFCダイオード(※1)の搭載と、内部インダクタンスを低減するパッケージ構造の採用により電力損失を低減
  • AC主電極を3端子に増やすことで電流密度を緩和・均一化し、インバーターの高出力化に貢献(LV100パッケージタイプ)

(※全文:1,179文字 画像:あり 参考リンク:なし)

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