デンソー、京大発ベンチャーと協業　新型半導体でEVの低コスト化めざす

デンソー（愛知県刈谷市）と京都大学発のベンチャーであるFLOSFIA（京都府京都市）は1月4日、次世代のパワー半導体の材料として期待される「コランダム構造酸化ガリウム（α－Ga₂O₃）」製パワー半導体の車載応用に向けた共同開発を開始すると発表した。

SiやSiCに代わる低損失パワー半導体材料として期待

同材料は、5.3eV（エレクトロンボルト／電子ボルト）と高いバンドギャップ（禁止帯）をもち、大きな絶縁破壊電界などから、従来のシリコン（Si）やシリコンカーバイド（SiC）にかわる次世代の低損失パワー半導体材料として期待されている。京都大学の藤田静雄教授により単結晶合成に成功した。