> > 三菱ケミら、大型設備で4インチ窒化ガリウム結晶の成長を確認 22年度供給

三菱ケミら、大型設備で4インチ窒化ガリウム結晶の成長を確認 22年度供給

「SCAATTM-LP」を用いて成長したGaN結晶(出所:三菱ケミカル)

日本製鋼所(東京都品川区)と三菱ケミカル(東京都千代田区)は11月19日、パワーエレクトロニクス用大口径バルク窒化ガリウム(GaN)基板の実証開発において、世界最大級のGaN基板製造実証設備(大型実証設備)で4インチGaN結晶が計画通りに結晶成長していることを確認したと発表した。

今後、大型実証設備でさらなる実証実験を行い、高品質なGaN基板の安定供給を通じた超高効率デバイスの実現への貢献を目指す。2022年度初頭から市場供給を開始する予定。

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