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東芝、シリコンカーバイド採用のパワー半導体の量産開始

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東芝、シリコンカーバイド採用のパワー半導体の量産開始

東芝は、産業機器・車載機器向けに需要拡大が見込まれるパワー半導体分野において、シリコンカーバイド(SiC)を採用した製品の量産を3月末より姫路半導体工場で開始すると発表した。第一弾として、電流の逆流を防ぐ整流素子である「ショットキバリアダイオード」を生産する。

同製品は、サーバー用電源や太陽光発電パワーコンディショナーなどに適していて、従来のシリコン(Si)のダイオードに比べ、電源用途で素子の電力損失を50%以上低減できる。月産100万個を生産予定。

SiCを採用したパワー半導体は、従来のシリコン(Si)を採用した従来製品に比べて、高電圧・大電流でも安定的に動作し、動作時に電力が熱として失われる電力損失を大幅に削減できる。そのため、高効率化、小型化が求められる通信機器、サーバー、インバータなどの産業機器、鉄道・車載機器用途での高いニーズがある。

SiCを採用したパワー半導体市場は、2020年に現在の約10倍に成長すると予測されており、同社は市場ニーズに合わせた新製品をラインアップすることで事業を強化し、2020年にはシェア30%を目指す。

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