京大など、太陽光発電や電気自動車のエネルギー効率を高めるトランジスタを開発

京都大学、大阪大学、ローム、東京エレクトロンは共同で、高誘電率ゲート絶縁膜（アルミニウム酸窒化物：AlON）を採用したシリコンカーバイド（SiC）パワーMOSFETを開発し、電流駆動力と長期信頼性の向上を達成した。

同成果は、省エネルギーの切り札であるSiCパワーデバイスの普及を加速し、太陽光発電システムや電気自動車などのエネルギー利用効率を飛躍的に高め、省エネルギー・低炭素社会の実現に寄与するものとして期待されている。