> > 京大など、太陽光発電や電気自動車のエネルギー効率を高めるトランジスタを開発

京大など、太陽光発電や電気自動車のエネルギー効率を高めるトランジスタを開発

 印刷 記事を保存

京都大学、大阪大学、ローム、東京エレクトロンは共同で、高誘電率ゲート絶縁膜(アルミニウム酸窒化物:AlON)を採用したシリコンカーバイド(SiC)パワーMOSFETを開発し、電流駆動力と長期信頼性の向上を達成した。

同成果は、省エネルギーの切り札であるSiCパワーデバイスの普及を加速し、太陽光発電システムや電気自動車などのエネルギー利用効率を飛躍的に高め、省エネルギー・低炭素社会の実現に寄与するものとして期待されている。

同研究では、熱酸化法でSiO2絶縁膜を形成するのではなく、電気特性と耐熱性に優れたAlONゲート絶縁膜をSiC基板上に堆積する方法を採用。

(※全文:612文字 画像:あり 参考リンク:あり)

  • まだ会員登録されてない方

    新規会員登録無料
  • 既に会員登録されている方

    ログイン

会員登録3つの特典

関連セミナー・イベント情報

関連カテゴリ

プレスリリースを受け付けております

環境ビジネスオンラインでは、皆様からの環境に関する情報をお待ちしています。

新製品・新サービス、研究内容、法令情報、イベント・セミナー、海外の環境ビジネス情報など、お気軽にお寄せ下さい。お送り頂いた内容を、編集部にて拝見いたします。

こちらから、必要事項をご記入ください

Copyright © 2018 日本ビジネス出版. All rights reserved.